客户案例
不仅仅是用在光伏板上
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系统定制化精准清洗系统
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地点广东省东莞市塘厦镇
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日期2025
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应用良率改善+效率提升
项目背景
某国际领先的芯片代工厂在推进7nm逻辑芯片大规模量产时，遭遇了由清洗工艺瓶颈引发的关键挑战，严重制约了其良率与产品性能的一致性。核心痛点聚焦于三个方面：首先，FinFET三维结构的侧壁在清洗后出现难以消除的“水印”缺陷，直接导致芯片良率损失达2.3%；其次，极紫外（EUV）光刻后存在纳米级残留物，引起接触电阻波动，影响电路性能；最后，金属栅极界面清洗不均匀，导致器件电性能参数离散，产品均一性难以保障。这些问题亟需一种革新性的清洗解决方案。
项目介绍
为系统性解决上述复杂挑战，我们为该客户量身打造了一套分阶段、定制化的先进清洗工艺方案。
第一阶段：EUV光刻后精准清洗
解决方案：应用专利的 “微泡增强型SPM（硫酸-过氧化氢混合物）” 技术。
实施效果：实现了超过99.99%的光刻胶去除率，确保无残留；同时将晶圆表面粗糙度保持率提升至98%以上，为后续工艺奠定了完美基础。
第二阶段：FinFET结构无损清洗
解决方案：采用自主研发的 “低压雾化清洗” 核心技术。
实施效果：彻底攻克了Fin侧壁的“水印”缺陷难题。经严格验证，Fin结构的物理尺寸变化被控制在0.5纳米以内，实现了真正的“无损”清洗。
第三阶段：器件界面终极清洁
解决方案：运用 超低浓度（<0.1%）化学液 配合 兆声波辅助 技术。
实施效果：将金属离子污染水平降低至5×10⁹ atoms/cm²以下，并将关键界面态密度成功降至2×10¹⁰ eV⁻¹cm⁻²级别，显著提升了器件可靠性与性能。
延伸技术突破：第三代半导体清洗
方案不仅限于硅基芯片，我们在宽禁带半导体材料清洗上也取得关键突破：
碳化硅（SiC）功率器件：开发了专用的CMP后清洗液，将表面缺陷密度降至<0.1个/cm²的业界领先水平。
氮化镓（GaN）射频器件：创新采用pH值精确控制的自限制腐蚀技术，在实现完全清洁的同时，使表面平整度改善了15%。
客户价值
通过实施本方案，客户在量产效率、经济效益与技术竞争力上获得了全方位、可量化的显著提升。
1. 量产与性能指标飞跃
良率显著提升：在12个月的量产周期内，芯片整体良率从92.1%大幅提升至95.7%，增幅达3.6个百分点。
性能一致性优化：芯片关键性能参数的一致性由±8%大幅收窄至±3%，提升了62%，产品品质更加稳定可靠。
运营效率提高：设备预防性维护周期从2周延长至4周，有效提升了设备综合利用率。
2. 经济效益与可持续发展
综合成本下降：在提升性能的同时，清洗环节的专用化学品成本较基准降低了28%，实现了降本增效。
践行绿色制造：方案实现了90%以上化学试剂的循环利用，废水排放达到半导体行业最高标准，整体能源消耗比传统方案降低35%。
3. 长期技术合作与支持
全方位服务保障：依托全球技术服务中心网络，为客户提供24/7远程监控、48小时现场响应的敏捷支持。
知识赋能与持续改进：通过联合开发、工艺培训、数据共享等深度合作模式，不仅解决了当前难题，更为客户后续更先进制程的研发积累了工艺基线和
技术储备，增强了其长期竞争力。
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