解决方案&案例

随着制程进入纳米级，即便是原子尺度的污染物（如单一颗粒、金属原子、有机分子

）也会导致电路短路、漏电或图形缺陷，造成芯片良率灾难性下降。清洗工艺需在去

除各类污染的同时，绝对避免对极其精细的图形结构和脆弱材料造成任何损伤。

实施"分步精准、原子级洁净”的清洗策略。这是制造过程中步骤最多的工序，贯穿光

刻、刻蚀、沉积前后。针对不同污染物：1）颗粒采用SC1溶液（NH₄OH/H₂O₂/H₂O）

通过电学排斥与轻微刻蚀去除，并辅以兆声波增强效果；2）有机残留与光刻胶使用SP

M溶液（H₂SO₄/H₂O₂）或O₂等离子体灰化；3）金属杂质由APM或稀释HF等溶液通过

氧化/络合作用去除。解决方案的核心是工艺的极致精准——精确控制化学液配比、温度

、作用时间，并广泛应用表面张力极低的IPA（异丙醇）蒸汽干燥等先进技术防止图形倒

塌。每一道清洗都必须在清除指定污染与保持结构完整性之间达到完美平衡，是芯片良率

的守护神。